RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
3187
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link