RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
54
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
49
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
2534
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link