Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Средняя оценка

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 10

Среднее значение в тестах

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Причины выбрать
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 54

Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи

6.2 1,308.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 34
Скорость чтения, Гб/сек

3,573.5 10.0
Скорость записи, Гб/сек

1,308.1 6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

371 1693

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB

Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 9905700-013.A00G 8GB

Kingston 9905700-013.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

модули RAM