Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 72

Около -227% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.0 1,938.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

72 22
Скорость чтения, Гб/сек

4,241.0 17.8
Скорость записи, Гб/сек

1,938.7 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

677 3115

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB

модули RAM

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB

модули RAM

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Kingston 9905624-045.A00G 8GB

Kingston 9905624-045.A00G 8GB

модули RAM