RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
6.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3861
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link