RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
42
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
19
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
19.8
Скорость записи, Гб/сек
6.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3370
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link