RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.9
Скорость записи, Гб/сек
6.0
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
2494
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link