RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
38
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
15.4
Скорость записи, Гб/сек
6.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
3147
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link