RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.2
6.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
10.0
Скорость записи, Гб/сек
6.0
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1396
1693
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Сравнения RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link