OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

-->

Средняя оценка

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

Причины выбрать
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 71

Около 59% меньшая задержка

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.9 6.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 8500

Около 2.26 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 71
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 15.8
Скорость записи, Гб/сек

6.0 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 19200

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1607 1757

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB

модули RAM

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB

модули RAM

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

модули RAM