Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB против Kingston 9965596-019.B01G 4GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB

Средняя оценка

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.1 7.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.3 7.2

Среднее значение в тестах

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9965596-019.B01G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 40

Около -3% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9965596-019.B01G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 39
Скорость чтения, Гб/сек

15.1 7.6
Скорость записи, Гб/сек

9.3 7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2532 1868

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

Corsair MK16GX44B3000C15 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

Kingston 9905701-021.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9965662-004.A00G 16GB

Kingston 9965662-004.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

модули RAM