Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 71

Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.6 8.2

Среднее значение в тестах

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.4 13.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 71
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 15.4
Скорость записи, Гб/сек

9.6 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2312 1789

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB

модули RAM

Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Super Talent F24EA8GS 8GB

Super Talent F24EA8GS 8GB

модули RAM