RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
72
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
72
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
1731
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link