RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
72
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
72
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
1731
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link