RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3693
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-502.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link