RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3371
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link