RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2744
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link