RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
64
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
64
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2016
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link