RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
35
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3188
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link