Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 35

Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.4 13.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.6 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 21
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 21.4
Скорость записи, Гб/сек

9.6 17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2312 3954

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB

Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB

модули RAM