RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
10.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2327
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link