RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2179
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link