RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
86
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
86
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
1658
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link