RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 74
    Около 53% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 13.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 74
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 7.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2312 left arrow 1616

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
модули RAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
модули RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
модули RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
модули RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
модули RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
модули RAM