RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
42
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
13.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.1
17.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2307
3299
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link