RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
2419
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link