RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
44
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
41
44
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
12.3
Скорость записи, Гб/сек
9.2
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
1977
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SpecTek Incorporated OP:71100 03/13 2M 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link