RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
24
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
2925
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link