PNY Electronics PNY 2GB против A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.4 13.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.9 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 27
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 18.4
Скорость записи, Гб/сек

8.4 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 3008

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

Kingston 9905663-012.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

Mushkin 99[2/7/4]183 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

модули RAM