RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3162
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link