RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
20.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3942
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link