RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2600
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
INTENSO M418039 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link