PNY Electronics PNY 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

-->

Средняя оценка

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB

Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 39

Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.8 13.7

Среднее значение в тестах

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.4 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PNY Electronics PNY 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 39
Скорость чтения, Гб/сек

13.8 13.7
Скорость записи, Гб/сек

8.4 9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2274 2397

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair MK16GX44A2666C16 4GB

Corsair MK16GX44A2666C16 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM