PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

-->

Средняя оценка

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Средняя оценка

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.7 15.5

Среднее значение в тестах

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 38

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.6 10.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 37
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 15.5
Скорость записи, Гб/сек

10.0 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2753 2962

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Panram International Corporation M424051 4GB

Panram International Corporation M424051 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

модули RAM