RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
10.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
2179
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link