PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

-->

Средняя оценка

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Средняя оценка

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Причины выбрать
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19.7 16.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 10.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 38
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 19.7
Скорость записи, Гб/сек

10.0 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2753 3186

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB

Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

A-DATA Technology DDR4 3600 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

модули RAM