RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Средняя оценка
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
79
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
79
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
10.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2753
1710
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link