RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB против Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Причины выбрать
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 14.6
    Среднее значение в тестах
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Причины выбрать
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    10.8 left arrow 10.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    38 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.7 left arrow 14.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.0 left arrow 10.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2753 left arrow 2298

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Сравнения RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
модули RAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
модули RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
модули RAM