Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

-->

Средняя оценка

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 16.6

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

60 79

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.3 1,468.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

79 60
Скорость чтения, Гб/сек

3,061.8 16.6
Скорость записи, Гб/сек

1,468.1 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

422 2813

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

модули RAM

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Kingston 9965690-002.A00G 8GB

Kingston 9965690-002.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

модули RAM