RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2001
2534
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link