Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB против G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB

-->

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

9.3 8.4

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 43

Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.5 13.2

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

43 34
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 13.5
Скорость записи, Гб/сек

9.3 8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 12800

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2285 2231

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB

Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KTP9W1-MID 16GB

Kingston KTP9W1-MID 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

модули RAM

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM