RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
57
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
57
Скорость чтения, Гб/сек
13.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1932
2792
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link