RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB против A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1806
3409
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Сравнения RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link