RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
4122
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link