RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
43
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.7
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2704
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link