RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.7
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3628
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link