RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.7
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2422
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link