RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
52
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
52
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2169
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link