RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
11.6
Скорость записи, Гб/сек
9.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2227
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link