RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
22.8
Скорость записи, Гб/сек
5.6
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1751
3792
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Сравнения RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link