RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
39
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
12.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2089
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link